Basics of VLSI Design 7

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L'app è un manuale gratuito completo di VLSI con diagrammi e grafici. Fa parte della formazione di ingegneria elettronica e delle comunicazioni che porta argomenti importanti, note, notizie e blog sull'argomento. Scarica l'App come guida di riferimento rapido ed ebook su questo argomento di ingegneria elettronica e delle comunicazioni. L'app copre più di 90 argomenti di VLSI Design in dettaglio. Questi argomenti sono divisi in 5 unità. Puoi facilmente superare e avere successo nei tuoi esami o colloqui, l'app fornisce una rapida revisione e riferimento agli argomenti come una scheda flash dettagliata. Ogni argomento è completo di diagrammi, equazioni e altre forme di rappresentazioni grafiche per una facile comprensione. Alcuni degli argomenti trattati in questa applicazione sono: 1. Memorie semiconduttori :Introduzione e tipi 2. Memoria di sola lettura (ROM) 3. Tre celle DRAM a transistor 4. Una cella DRAM a transistor 5. Memoria flash 6. Circuiti logici CMOS a bassa potenza: introduzione 7. Progettazione di inverter CMOS 8. Inverter MOS: introduzione alle caratteristiche di commutazione 9. Tecniche basate sulla scansione 10. Tecniche di autotest integrate (BIST) 11. Prospettiva storica del design VLSI: legge di Moore 12. Classificazione dei tipi di circuiti digitali CMOS 13. Un esempio di progettazione di circuiti 14. Metodologie di progettazione VLSI 15. Flusso di progettazione VLSI 16. Gerarchia di progettazione 17. Concetto di regolarità, modularità e località 18. Fabbricazione CMOS 19. Flusso del processo di fabbricazione: passaggi di base 20. Fabbricazione del transistor nMOS 21. Fabbricazione CMOS: processo p-well 22. Fabbricazione CMOS: processo n-well 23. Fabbricazione CMOS: processo a vasca doppia 24. Diagrammi a bastone e design del layout della maschera 25. Transistor MOS: struttura fisica 26. Il sistema MOS sotto bias esterno 27. Struttura e funzionamento del MOSFET 28. La tensione di soglia 29. Caratteristiche di tensione di corrente del MOSFET 30. Ridimensionamento Mosfet 31. Effetti del ridimensionamento 32. Piccoli effetti geometrici 33. Capacità MOS 34. Inverter MOS 35. Caratteristiche di trasferimento della tensione (VTC) dell'inverter MOS 36. Inverter con carico MOSFET di tipo n 37. Inverter di carico resistivo 38. Progettazione di inverter di carico di esaurimento 39. Inverter CMOS 40. Definizioni dei tempi di ritardo 41. Calcolo dei tempi di ritardo 42. Progettazione inverter con constraine di ritardo : esempio 43. Circuiti logici MOS combinati: introduzione 44. Circuiti logici MOS con carichi nMOS di esaurimento: due ingressi NOR Gate 45. Circuiti logici MOS con carichi nMOS di esaurimento: struttura NOR generalizzata con ingressi multipli 46. Circuiti logici MOS con carico nMOS di esaurimento: analisi transitoria del gate NOR 47. Circuiti logici MOS con carichi nMOS di esaurimento: cancello NAND a due ingressi 48. Circuiti logici MOS con carico nMOS di esaurimento: struttura NAND generalizzata con ingressi multipli 49. Circuiti logici MOS con carico nMOS di esaurimento: analisi transitoria del gate NAND 50. Circuiti logici CMOS: NOR2 (due ingressi NOR) gate 51. Cancello CMOS NAND2 (due NAND di ingresso) 52. Layout di semplici porte logiche CMOS 53. Circuiti logici complessi 54. Cancelli logici CMOS complessi 55. Layout di cancelli logici CMOS complessi 56. Cancelli AOI e OAI 57. Cancelli Pseudo-nMOS 58. CMOS Full-Adder Circuit & carry ripple adder 59. Cancelli di trasmissione CMOS (cancelli di passaggio) 60. Logica pass-transistor complementare (CPL) 61. Circuiti logici MOS sequenziali : Introduzione 62. Comportamento degli elementi bistable 63. Il circuito di chiusura SR 64. Fermo SR con clock 65. Chiusura JK con orologio 66. Infradito Master-Slave 67. D-Latch CMOS e flip-flop attivato dal bordo 68. Circuiti logici dinamici : Introduzione 69. Principi di base dei circuiti a transistor passa

cronologia delle versioni

  • Versione 5.1 pubblicato il 2016-07-18
    Bellissimo logo dell'applicazione e correzione dei bug.

Dettagli del programma